B
baiwujushi
Guest
katero napravo je mogoče izločiti z vrsto orodij EDA
ko delam LVS na platformi icfb?
je R. C, MOS?
ko delam LVS na platformi icfb?
je R. C, MOS?
Navigation
Install the app
How to install the app on iOS
Follow along with the video below to see how to install our site as a web app on your home screen.
Note: This feature may not be available in some browsers.
More options
You are using an out of date browser. It may not display this or other websites correctly.
You should upgrade or use an alternative browser.
You should upgrade or use an alternative browser.
D
dick_freebird
Guest
Lahko izvleček karkoli, če ste napisali pravila.
Priznanje naprav in povezav je pod nadzorom
pravila, ki so livarne (plasti) specifična.Ne pričakujem, da
Cadence orodja vsebujejo to info sami, čeprav ste
bi našli predloge in app pojasnilih.Pravila bi udeležil
livarske PDK.
Priznanje naprav in povezav je pod nadzorom
pravila, ki so livarne (plasti) specifična.Ne pričakujem, da
Cadence orodja vsebujejo to info sami, čeprav ste
bi našli predloge in app pojasnilih.Pravila bi udeležil
livarske PDK.
B
baiwujushi
Guest
Hvala lepa
ampak jaz sem wordering ali eda orodja podpirajo te vrste pravil:
v visoke napetosti / visoko napetost čipa, ki ga BiCMOS proces
1.Visoke napetosti kovin črte prekrivajo dve nwell, ustvarite parazitski NMOS
2.Nizka napetost poli vrata prekrivanja dveh pwell, ustvarite parazitski upravljanje projektov
hvala še enkrat
Jerry
ampak jaz sem wordering ali eda orodja podpirajo te vrste pravil:
v visoke napetosti / visoko napetost čipa, ki ga BiCMOS proces
1.Visoke napetosti kovin črte prekrivajo dve nwell, ustvarite parazitski NMOS
2.Nizka napetost poli vrata prekrivanja dveh pwell, ustvarite parazitski upravljanje projektov
hvala še enkrat
Jerry
E
erikl
Guest
baiwujushi napisal:
...
jaz sem wordering ali eda orodja podpirajo te vrste pravil:v visoke napetosti / visoko napetost čipa, ki ga BiCMOS proces1.
Visoke napetosti kovin črte prekrivajo dve nwell, ustvarite parazitski NMOS
2.
Nizka napetost poli vrata prekrivanja dveh pwell, ustvarite parazitski upravljanje projektov
...
jaz sem wordering ali eda orodja podpirajo te vrste pravil:v visoke napetosti / visoko napetost čipa, ki ga BiCMOS proces1.
Visoke napetosti kovin črte prekrivajo dve nwell, ustvarite parazitski NMOS
2.
Nizka napetost poli vrata prekrivanja dveh pwell, ustvarite parazitski upravljanje projektov
D
dick_freebird
Guest
Če ste imeli HVMET plast ali označevalca potem pravila bi
izgleda kot stara-gate MOS kovin ekstrakt pravila.Trik bi
se pri izvrševanju da HVMET discipline.Sem delal v procesih
, ki se uporablja ločeno vddmet, vssmet plasti za olajšanje
kratkoročno preverjanje.
Menim, da so sposobni orodja, je logični izrazi
(In morda, stranska plasti trenutno ne obstaja), ki jo
bi morali razviti.
izgleda kot stara-gate MOS kovin ekstrakt pravila.Trik bi
se pri izvrševanju da HVMET discipline.Sem delal v procesih
, ki se uporablja ločeno vddmet, vssmet plasti za olajšanje
kratkoročno preverjanje.
Menim, da so sposobni orodja, je logični izrazi
(In morda, stranska plasti trenutno ne obstaja), ki jo
bi morali razviti.
R
rfsystem
Guest
Vsak logično plast kombinacija, ki povzroči dobro oblikovana pravokotnik lahko napravo.Smiselni povezavi plast imeti za posledico priznanje plasti napravo, rezervirana za napravo.Za prijavo napravo, kot je parazitski je pomembno samo za primerjavo LVS.
Mislim, da je edina omejitev, da so vsi ekstraktorji, je, da ti omogočajo samo nonoverlapping, včasih nontouching predmetov priznanje napravo.Starejši prevod ne tudi ne priznavajo parazitske naprave zgoraj (spodaj) primarni naprave.
Mislim, da je edina omejitev, da so vsi ekstraktorji, je, da ti omogočajo samo nonoverlapping, včasih nontouching predmetov priznanje napravo.Starejši prevod ne tudi ne priznavajo parazitske naprave zgoraj (spodaj) primarni naprave.