A
ajhsu
Guest
Kakšna je omejitev in pomanjkljivosti?
Hvala veliko.
Hvala veliko.
Navigation
Install the app
How to install the app on iOS
Follow along with the video below to see how to install our site as a web app on your home screen.
Note: This feature may not be available in some browsers.
More options
You are using an out of date browser. It may not display this or other websites correctly.
You should upgrade or use an alternative browser.
You should upgrade or use an alternative browser.
R
rfsystem
Guest
Če primerjate 3 (4) terminal naprave proizvod sedanjih gainbandwidth in napetosti razčlenitev pomembna.
Za pripomočke, MOS dobiš približno 70-100GHz * V.SiGe Bipolarna je približno 2 * 3-krat višje.GaAs še faktor 1-1,5.
MOS so dodatno škodo, da je zgoraj hitrost je le, če je res, nasičenosti napetost je zelo visoka.Tha pomeni, da znaten delež proizvodnje električne energije je loost v napravi.To je zato, ker potem MOS obnašati bolj kot nadzorovano upora namesto sedanjih vira.Če razdelitev nizka boste morali uporabiti zelo nizko obremenitev impedanca dobiti enako močjo.To morajo pretvoriti v impedanca antene, ki jih drago, spacy in loosy omrežij transformacije.
Kljub temu vključitev prednosti narekujejo PA povezati s slabšim napravami.
Za pripomočke, MOS dobiš približno 70-100GHz * V.SiGe Bipolarna je približno 2 * 3-krat višje.GaAs še faktor 1-1,5.
MOS so dodatno škodo, da je zgoraj hitrost je le, če je res, nasičenosti napetost je zelo visoka.Tha pomeni, da znaten delež proizvodnje električne energije je loost v napravi.To je zato, ker potem MOS obnašati bolj kot nadzorovano upora namesto sedanjih vira.Če razdelitev nizka boste morali uporabiti zelo nizko obremenitev impedanca dobiti enako močjo.To morajo pretvoriti v impedanca antene, ki jih drago, spacy in loosy omrežij transformacije.
Kljub temu vključitev prednosti narekujejo PA povezati s slabšim napravami.
S
SkyHigh
Guest
Imam nekaj dodati:
1.CMOS PA je glasen, ko govorimo o napravi hrupa, kot so utripanja in termično, predvsem utripanja hrup.To je veliko najslabši za upravljanje projektov, čeprav NMOS ni nič bolje.Čeprav je CMOS zelo stroškovno učinkovito izvajanje kot Bipolarna v fantastičen, je večina temelji na površini CMOS-channel naprava tehnologijo, to pomeni, CMOS definitivno dovzetnih za flikerja hrupa, pri nizkih frekvencah.
Na visokih in zelo visokih frekvencah, CMOS ni problem.
Namesto BJT vedno trpi zaradi EH hrupa pri frekvencah, višjih worser.
2.V smislu pasovne širine, CMOS ne more delovati pri precej večje pasovne širine, kot Bipolarna in GaAs podjetja.BJT je tudi bolj stabilen, vendar pa zahteva več MOS vezje, triki ravni za kompenzacijo.
3.To je lažje uskladiti impedanca bremena z uporabo BJT kot MOS.Za MOS, morate spretno ujema z L, Pi in drugih hibridnih omrežij.
4.CMOS odnašanja zelo enostavno, saj je geometrijsko-zanesljiv.BJT doping je odvisno, zato ni vprašanje tukaj.
5.Kljub vsem pomanjkljivostim CMOS, je ena stvar CMOS bije vse.Treba je združljiv z digitalno CMOS.Lahko izvajajo mešani signal RF-Analogni-digitalni v enem die, ki vse uporabljajo iste tehnologije CMOS, ponavadi 0,18 in višje.To je težko izvajati v 0,13 in spodaj, ker nelinearnost neujemanje napake je zelo visoka v ultra-globoko submicron.
CMOS je vedno ob Linearnost vprašanja.To ni problem v bipolarno.
1.CMOS PA je glasen, ko govorimo o napravi hrupa, kot so utripanja in termično, predvsem utripanja hrup.To je veliko najslabši za upravljanje projektov, čeprav NMOS ni nič bolje.Čeprav je CMOS zelo stroškovno učinkovito izvajanje kot Bipolarna v fantastičen, je večina temelji na površini CMOS-channel naprava tehnologijo, to pomeni, CMOS definitivno dovzetnih za flikerja hrupa, pri nizkih frekvencah.
Na visokih in zelo visokih frekvencah, CMOS ni problem.
Namesto BJT vedno trpi zaradi EH hrupa pri frekvencah, višjih worser.
2.V smislu pasovne širine, CMOS ne more delovati pri precej večje pasovne širine, kot Bipolarna in GaAs podjetja.BJT je tudi bolj stabilen, vendar pa zahteva več MOS vezje, triki ravni za kompenzacijo.
3.To je lažje uskladiti impedanca bremena z uporabo BJT kot MOS.Za MOS, morate spretno ujema z L, Pi in drugih hibridnih omrežij.
4.CMOS odnašanja zelo enostavno, saj je geometrijsko-zanesljiv.BJT doping je odvisno, zato ni vprašanje tukaj.
5.Kljub vsem pomanjkljivostim CMOS, je ena stvar CMOS bije vse.Treba je združljiv z digitalno CMOS.Lahko izvajajo mešani signal RF-Analogni-digitalni v enem die, ki vse uporabljajo iste tehnologije CMOS, ponavadi 0,18 in višje.To je težko izvajati v 0,13 in spodaj, ker nelinearnost neujemanje napake je zelo visoka v ultra-globoko submicron.
CMOS je vedno ob Linearnost vprašanja.To ni problem v bipolarno.