saturation

[neofrkh]

PLZ nekdo razloži, kaj je saturation regiji in zasičenost
Prebral sem, da je zasičenost regija kadar zbiralec in osnova naprej pristranske,
in zbirateljskih je prihodnost pristranskih šele, ko napetost preko CE je manj kot 0.7V.
Torej, zakaj zasičenost ni na 0.7V.

 

[news]

Zotac wprowadza do sprzedaży trzy różne wersje kart GeForce GT 430. Karty mają 1GB pamięci GDDR3 oraz 40-nanometrowy układ GF108 z 96 procesorami strumieniowymi...

Read more...

 

[forkschgrad]

saturation se nanaša na "ON" stanje je BJT.BJTs so trenutne nadzorovanih naprav.So lahko v trenutni stopnji od zbiralca na oddajnik.V idealnem primeru VCE nič voltov.0.7V je Vbe ne VCE.Ko nasičenih VCE je navadno 0.2V.To v veliki meri odvisen od Ic in odpornosti polprevodniškega materiala, ki je zbiralec.

 

[neofrkh]

Hvala za pomoč mi jasno
PLZ povejte mi katero koli povezavo ali vsaka knjiga, ki pojasnjuje saturation podrobno

 

[Salerno]

Poskusite to:
- Analysis and Design of Analog Integrated Circuits (4th Edition), ki ga je Paul R. Gray, Paul J. Hurst, Stephen H. Lewis in Robert G. Meyer

 

[forkschgrad]

neofrkh wrote:

Hvala za pomoč mi jasno

PLZ povejte mi katero koli povezavo ali vsaka knjiga, ki pojasnjuje saturation podrobno

 

[al_valaee]

ne.Tranzistor je v saturatin ko je cb križiščih se posreduje pristranskosti in je neodvisna od stičišča ce.v zasičenem napetost preko stičišča ce je manj kot 0,2 volt.

 

[forkschgrad]

al_valaee wrote:

ne.
Tranzistor je v saturatin ko je cb križiščih se posreduje pristranskosti in je neodvisna od stičišča ce.
v zasičenem napetost preko stičišča ce je manj kot 0,2 volt.

 

[Kral]

neofrkh,
Nasičenost, po opredelitvi,
ali je pogoj, če je baza-oddajnik in zbiralni-base križišča sta naprej pristranski.Ni določeno napetost, pri kateri se to zgodi.Je treba napetost je odvisna od osnove sedanjega.Če, na primer, za določeno osnovo sedanjega, na Vbe je 0,5 V, potem je naprava nasičenih za Vcb manj kot 0.5V.
S spoštovanjem,
Kral

 

[raghuram_msc]

Hi all,

Samo, da dodate nekaj pripomb ...

Nasičenost regije (in je torej nasprotne strani, Cut Off-regija) od tranzistorjev se uporabljajo v digitalnih elektronskih Preklapljanje aplikacij .... Torej temeljnih knjige se ukvarjajo z navedeno tematiko lahko pomaga ven ....

s spoštovanjem,
Sai

 

[neofrkh]

I mnogih knjig posvetovala in dosegla do naslednjega zaključka:

Pri npn tranzistor,

Nasičenost regiji je, ko tako osnovno-oddajnik (BE) in osnovno-zbiralec (BC) križišča naprej je pristranski.

To se zgodi le takrat, ko
V (BE) = 0.7 in V (BC)> 0 in V (CE) <0,7

V skladu z naslednjimi enačbami:
V (BC) = V (BE) - V (CE)
Ker V (BE) = 0.7V;
V (BC) = 0,7-V (CE)
Torej, z zgoraj Ž, V (BC) je pozitiven (prihodnost pristranskih) le takrat, ko V (CE) je manj kot 0.7V.

In zasičenost, V (CE) sobota, se ta najnižja točka, kjer DC tovorna linija kosi zbiralca značilne krivulje, in na tej točki največja Ic (sobota) tokovi, idealno bi morala biti ta točka na V (CE) = 0V, vendar zaradi za toplotno ustvarjenega elektronov je med 0.1V in 0.3V.

Torej, V (CE) ne more iti pod V (CE) sobota, in v nekaterih knjigi so tudi dati saturation regija regije spodaj V (CE) sobota, tj med 0 <V (CE) <0,3, v skladu s tem kot V redu (CE) b / m 0 do 0,3: V (BC)> 0 in V (CE) <0.7.

 

[Kral]

neofrkh,
Vi ste pravilno v vašem kvalitativnih opredelitev nasičenost.Vendar pa, kot sem omenil v mojem prejšnje točke, ni določena vrednost VCE kjer nasičenost pojavi.Osnova-oddajnik diode napetost je eksponentno funkcijo osnove sedanjega, in zato ni določeno napetost.Za tipične vrednosti pristranskosti, je nekje okrog 0.65V, ampak se spreminja z osnovo sedanjih.Ne glede na Vbe je, satuaration obstaja, kadar je Vcb je manjša od te vrednosti Vbe.
S spoštovanjem,
Kral