S
sgunupuri01
Guest
Hi All, lahko katera koli od povej mi, kaj bi lahko bila najboljša vrednost cap mogoče pridobiti z mama cap na sq um [ / b]. hvala vnaprej
E
erikl
Guest
[Quote = sgunupuri01] lahko katera koli od povej mi, kaj bi lahko bila najboljša vrednost cap mogoče pridobiti z mama cap na sq [um / i ] . [/Quote] C = (ε0 εr * 1μm ²) / t_iso Za 0.18μm proces, npr εr ≈ 7; t_iso ≈ 300 Nm; ==> C / Area ≈ 0,2 fF / μm ² Gate kape kopičenje oksid dosegli ≈ ² 3fF/μm v ta proces tech.
T
timof
Guest
[Quote = sgunupuri01] Hi All, lahko katera koli od povej mi, kaj bi lahko bila najboljša vrednost cap mogoče pridobiti z mama cap na um sq . hvala vnaprej [/quote] Za 90 nm tehnologiji in spodaj, lahko kapacitivnost gostota kondenzatorji MOM je tako visoka kot 2 fF/um2. (IBM poročali vrednost 1,73-1,76 fF/um2 v številnih dokumentih, in je verjetno višja v modernih tehnologij). V skladu z UMC, MOM kondenzator gostota večja od kondenzatorjev MIM ("65-nm High-Frequency Low-Noise CMOS-Based RF SoC Tehnologija", Yang, D., Ding, Y., Huang, S., IEEE Transactions on Electron Devices, Volume 57, Issue 1, januar 2010 Page (s): 328-335). Kapacitivnost je veliko večja od vrednosti, ki ga Eric, saj je veliko plasti materialov, uporabljenih za MOM kondenzator, razdalje med kovinami v naprednih vozlišča so precej manjše (~ 0.1um), da navpični in stranski električnega polja tokove se lahko uporabi (čeprav dielektrično konstanta je nižja od 7,0 - to je ~ 3,9 za SiO2, in 2,5-2,9 v naprednih tehnologij z nizko K BEOL).
D
deepak242003
Guest
E
erikl
Guest
[Quote = deepak242003] ... Dvomim, ne upošteva bočna (fringing kapacitivnosti) tudi ???..[/quote] Prav imaš, to zajema le področje odvisna kapacitivnost. [Quote = deepak242003] Ali obstaja metoda za oceno kapacitivnosti tkanih ali glavnik, kot so (med prsti) struktura ..???:?::?:[/ quote doku] PDK običajno navaja, fringing podatkov, tudi seg TSMC 0,18 μ električne parametre spodaj (ki jih je objavila MOSIS).
D
deepak242003
Guest
moramo dodati ta robu kapacitivnosti do prekrivanja kapacitivnosti, da bi dobili skupno zgornjo mejo ..? nyways thx veliko erik .... 
E
erikl
Guest
[Quote = deepak242003], moramo dodati ta robu kapacitivnosti do prekrivanja? [/Quote] Seveda, če boste potrebovali zelo natančno ekstrakcijo. In to je odvisno tudi o prispevku fringing cap za skupno cap: cap matrika ali prsti strukture prispevajo sorazmerno več fringing cap za omejitve skupne kot (single) blok kape. Če fringing cap prispevka je več kot - recimo - 0,1%, morate upoštevati njen prispevek v primeru 10bit-pretvornik, ker drugače cap ujemanje netočnosti ne bi prikazali in ti verjetno ne bi prepoznal zmanjšanje ENOB, ki jih povzroča ta .
T
timof
Guest
Prosimo, upoštevajte, da se ločuje skupna kapacitivnost v območju in resice (in karkoli drugega) sestavnih delov ni strog način za izračun kapacitivnosti. To je samo priročen približevanje, ki omogoča oceniti kapacitivnost. Ne upošteva okolje kondenzator, drugi učinki drugega reda (to je prisotnost kotičke v razporeditvi, ali zapletene oblike), in tako njihovo točnost verjetno ni boljšega kot nekaj odstotkov (ali slabše). Natančen izračun kapacitivnosti (s točnostjo boljšo od nekaj odstotkov) zahteva, reševanje Laplaceova enačba in vključevanje električnega polja ali dajatev, in v splošnem primeru je to nemogoče smiselno ločiti skupna kapacitivnost v delni komponent.