M
mightyocean
Guest
fotodiode je del aktivne pixel senzor tokokrog, jo lahko ustvarite tekoče in injicirajte v MOS vir, kako lahko model njegove odpornosti in capcitance, da nastavite ustrezno napetost za MOS?
Navigation
Install the app
How to install the app on iOS
Follow along with the video below to see how to install our site as a web app on your home screen.
Note: This feature may not be available in some browsers.
More options
You are using an out of date browser. It may not display this or other websites correctly.
You should upgrade or use an alternative browser.
You should upgrade or use an alternative browser.
O
Old Nick
Guest
Nisem prepričan, kaj bi radi.
Če želite model fotodiode, nato pa boste morali opisati z enačbami.Obstaja modeliranje programske opreme na voljo, da vam pomaga ustvariti modelov.
V fotodiode dejansko ne ustvari tok, fotona, ki jo absorbira silicija Nadražiti electron-hole pairs.Te luknje parov bo ponovno hitro, če jih nekaj ujeti.Spoj povratno-pristranski dioda pasti (ločuje) elektronov luknjo parov, to je photocurrent.
V kapacitivnosti je dioda spreminja z napetostjo tudi.
Če na drugi strani želite simulirati je APS v SPECTRE ali začimb itd, dodajte trenutnega vira iz gnd za glavo od diod.
Če želite model fotodiode, nato pa boste morali opisati z enačbami.Obstaja modeliranje programske opreme na voljo, da vam pomaga ustvariti modelov.
V fotodiode dejansko ne ustvari tok, fotona, ki jo absorbira silicija Nadražiti electron-hole pairs.Te luknje parov bo ponovno hitro, če jih nekaj ujeti.Spoj povratno-pristranski dioda pasti (ločuje) elektronov luknjo parov, to je photocurrent.
V kapacitivnosti je dioda spreminja z napetostjo tudi.
Če na drugi strani želite simulirati je APS v SPECTRE ali začimb itd, dodajte trenutnega vira iz gnd za glavo od diod.
M
mightyocean
Guest
hi Old Nick
slika (a) je v konfiguraciji in slika (b) je enako vezju, v dioda je vzoru kot trenutni vir s svojo odpornost in kapacitivnosti, da je MOS vzoru kot VCCS, moj cilj je, da odločijo, W / L, MOS tranzistor.Kot vam je navedeno, parametri reverzno pristranskosti dioda je raznolika z različnimi photocurrent, in ki so vir / možganov napetosti MOS razlikujejo preveč.
vendar pa je * R, ni dovolj velik za MOS transitor za delovanje v šibkih inverzija regiji.Mimogrede, moje dioda je na 5V reverzne pristranski.
Rad bi vedel kako nastaviti dioda model vezja in MOS transitor ustrezno vplivati na MOS transitor in zaženite simulacijo v Predosjećaj.
Hvala.<img src="http://images.elektroda.net/17_1231491952_thumb.jpg" border="0" alt=""/>
slika (a) je v konfiguraciji in slika (b) je enako vezju, v dioda je vzoru kot trenutni vir s svojo odpornost in kapacitivnosti, da je MOS vzoru kot VCCS, moj cilj je, da odločijo, W / L, MOS tranzistor.Kot vam je navedeno, parametri reverzno pristranskosti dioda je raznolika z različnimi photocurrent, in ki so vir / možganov napetosti MOS razlikujejo preveč.
vendar pa je * R, ni dovolj velik za MOS transitor za delovanje v šibkih inverzija regiji.Mimogrede, moje dioda je na 5V reverzne pristranski.
Rad bi vedel kako nastaviti dioda model vezja in MOS transitor ustrezno vplivati na MOS transitor in zaženite simulacijo v Predosjećaj.
Hvala.<img src="http://images.elektroda.net/17_1231491952_thumb.jpg" border="0" alt=""/>
C
Cesar92
Guest
Živjo
Enakovreden model fotodiode je: A trenutna vira vzporedno z kondenzator.
tako, da trenutni vir je spremenljiva (z vpadni svetlobi v fotodiodo).
V kondenzator Cd je enaka vrednosti Cd = 10fF par exemple.
Enakovreden model fotodiode je: A trenutna vira vzporedno z kondenzator.
tako, da trenutni vir je spremenljiva (z vpadni svetlobi v fotodiodo).
V kondenzator Cd je enaka vrednosti Cd = 10fF par exemple.
M
mightyocean
Guest
hi Cesar92,
misliš vrednost nastavite v kondenzator v tabeli lastnine?
par pomeni kaj?Cesar92 wrote:
Živjo
Enakovreden model fotodiode je: A trenutna vira vzporedno z kondenzator.
tako, da trenutni vir je spremenljiva (z vpadni svetlobi v fotodiodo).
V kondenzator Cd je enaka vrednosti Cd = 10fF par exemple.
misliš vrednost nastavite v kondenzator v tabeli lastnine?
par pomeni kaj?Cesar92 wrote:
Živjo
Enakovreden model fotodiode je: A trenutna vira vzporedno z kondenzator.
tako, da trenutni vir je spremenljiva (z vpadni svetlobi v fotodiodo).
V kondenzator Cd je enaka vrednosti Cd = 10fF par exemple.
O
Old Nick
Guest
Cesar92 wrote:
Živjo
Enakovreden model fotodiode je: A trenutna vira vzporedno z kondenzator.
tako, da trenutni vir je spremenljiva (z vpadni svetlobi v fotodiodo).
V kondenzator Cd je enaka vrednosti Cd = 10fF par exemple.
Živjo
Enakovreden model fotodiode je: A trenutna vira vzporedno z kondenzator.
tako, da trenutni vir je spremenljiva (z vpadni svetlobi v fotodiodo).
V kondenzator Cd je enaka vrednosti Cd = 10fF par exemple.
M
mightyocean
Guest
Živijo, Nick
na fotodiodo I uporaba ni Si temelji, da ni model za mano in sem potreboval enakovredno vezje approch njegovo vedenje, sem samo vedeti nič pristranskosti sedanje in odpornost, kaj naj naredim potem?
hvala
na fotodiodo I uporaba ni Si temelji, da ni model za mano in sem potreboval enakovredno vezje approch njegovo vedenje, sem samo vedeti nič pristranskosti sedanje in odpornost, kaj naj naredim potem?
hvala
C
Cesar92
Guest
Cd = 10fF, to je samo primer za Kadenca SIM.
O
Old Nick
Guest
mightyocean wrote:
Živijo, Nickna fotodiodo I uporaba ni Si temelji, da ni model za mano in sem potreboval enakovredno vezje approch njegovo vedenje, sem samo vedeti nič pristranskosti sedanje in odpornost, kaj naj naredim potem?
hvala
Živijo, Nickna fotodiodo I uporaba ni Si temelji, da ni model za mano in sem potreboval enakovredno vezje approch njegovo vedenje, sem samo vedeti nič pristranskosti sedanje in odpornost, kaj naj naredim potem?
hvala
X
xavigo7
Guest
Hello everyone,
Jaz sem že seznanjeni z fotodiod modeliranje, saj je tema moje stažu.
Verjetno želite točno modela na inverznim pristranskosti napetost ...
No, v tem primeru je bilo dokazano, da zadnje čase hrbtni trenutne odvisen od napetosti (tako ustvariti dinamično vzporedna odpornost).Sedanji je lahko posledica več macanisms: difuzijskih, trak za trakom tuneling, past pomaga tuneling.
Dokazano je, da je povečanje sedanje z reverzno pristranskosti napetosti lahko model uporabi tekočega dobička coeficient (M = 1 2 ^ (2 (V-Vth) / Vth) z Vth = 6,8 * Eg).Ob zelo nizkih povratne pristranskosti votlage parameter je treba dodati, da upošteva acount področju odvisnost o pristranskosti napetosti.
Potem dinamični resitance lahko enostavno dedued izračun nagiba (R (V) = (Vd (i)-VD (I
1 ))/(( Id (i) Id-(I 1)).
Nazadnje, da je vreden da bi vedela, da je M koeficient računov za lavinske pojav, zato v skladu s kakovostjo iz fotodiode M računov za povratne sedanje za spremenljivko obseg pristranskosti napetosti.V primeru, da je dioda je slabo desined in obdelane v uhajajo trenutne postane prevaling pristranskosti pri nekaterih napetosti.
Jaz sem že seznanjeni z fotodiod modeliranje, saj je tema moje stažu.
Verjetno želite točno modela na inverznim pristranskosti napetost ...
No, v tem primeru je bilo dokazano, da zadnje čase hrbtni trenutne odvisen od napetosti (tako ustvariti dinamično vzporedna odpornost).Sedanji je lahko posledica več macanisms: difuzijskih, trak za trakom tuneling, past pomaga tuneling.
Dokazano je, da je povečanje sedanje z reverzno pristranskosti napetosti lahko model uporabi tekočega dobička coeficient (M = 1 2 ^ (2 (V-Vth) / Vth) z Vth = 6,8 * Eg).Ob zelo nizkih povratne pristranskosti votlage parameter je treba dodati, da upošteva acount področju odvisnost o pristranskosti napetosti.
Potem dinamični resitance lahko enostavno dedued izračun nagiba (R (V) = (Vd (i)-VD (I
1 ))/(( Id (i) Id-(I 1)).
Nazadnje, da je vreden da bi vedela, da je M koeficient računov za lavinske pojav, zato v skladu s kakovostjo iz fotodiode M računov za povratne sedanje za spremenljivko obseg pristranskosti napetosti.V primeru, da je dioda je slabo desined in obdelane v uhajajo trenutne postane prevaling pristranskosti pri nekaterih napetosti.